FFSB0865A, SiC Schottky Diodes 650V 8A SIC SBD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
790 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 100 шт. —
516 руб.
от 250 шт. —
513.21 руб.
1 шт.
на сумму 790 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 800 |
If - Forward Current: | 8 A |
Ifsm - Forward Surge Current: | 49 A |
Ir - Reverse Current: | 200 uA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | D2PAK-2 |
Pd - Power Dissipation: | 136 W |
Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
Technology: | SiC |
Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 310 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов