FFSP1065A, Schottky Diodes & Rectifiers SIC TO220 SBD 10A 650V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
940 руб.
от 10 шт. —
660 руб.
от 100 шт. —
527 руб.
от 500 шт. —
456.88 руб.
1 шт.
на сумму 940 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Diodes & Rectifiers\Schottky Diodes & Rectifiers
650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes onsemi 650V EliteSiC (Silicon Carbide) Schottky Diodes provide superior switching performance and higher reliability to silicon-based devices. These SiC Schottky diodes feature no reverse recovery current, temperature-independent switching, and excellent thermal performance. The system benefits include high efficiency, fast operating frequency, high power density, low EMI, and reduced system size and cost.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| If - Forward Current: | 10 A |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 56 A |
| Ir - Reverse Current: | 200 uA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-220-2 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 111 W |
| Product Category: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product Type: | Schottky Diodes & Rectifiers |
| Product: | Schottky Silicon Carbide Diodes |
| Subcategory: | Diodes & Rectifiers |
| Technology: | SiC |
| Vf - Forward Voltage: | 1.5 V |
| Vr - Reverse Voltage: | 650 V |
| Vrrm - Repetitive Reverse Voltage: | 650 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 296 КБ
Диоды импортные
pdf, 304 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Диоды Шоттки»
Типы корпусов импортных диодов
