FGD3050G2, IGBTs 500V 27A 1.3V 300mJ
![FGD3050G2, IGBTs 500V 27A 1.3V 300mJ](https://static.chipdip.ru/lib/172/DOC043172088.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
740 руб.
от 10 шт. —
580 руб.
от 100 шт. —
433 руб.
от 250 шт. —
372.80 руб.
1 шт.
на сумму 740 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 500 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.1 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 32 A |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 25 uA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -10 V, 10 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | DPAK-3(TO-252-3) |
Pd - Power Dissipation: | 150 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 0.46 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 795 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов