FGD3050G2, IGBTs 500V 27A 1.3V 300mJ

FGD3050G2, IGBTs 500V 27A 1.3V 300mJ
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
740 руб.
от 10 шт.580 руб.
от 100 шт.433 руб.
от 250 шт.372.80 руб.
1 шт. на сумму 740 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005369333
Артикул: FGD3050G2

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 500 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.1 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 32 A
Factory Pack Quantity: 2500
Gate-Emitter Leakage Current: 25 uA
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -10 V, 10 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -40 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package / Case: DPAK-3(TO-252-3)
Pd - Power Dissipation: 150 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 0.46

Техническая документация

Datasheet
pdf, 795 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов