FGH40T65SQD-F155, IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT

FGH40T65SQD-F155, IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 10 шт.970 руб.
от 25 шт.809 руб.
от 100 шт.648.71 руб.
1 шт. на сумму 1 140 руб.
Плати частями
от 285 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005369335
Артикул: FGH40T65SQD-F155

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand: onsemi
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.6 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 80 A
Factory Pack Quantity: 450
Gate-Emitter Leakage Current: 400 nA
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-247-3
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 238 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 8

Техническая документация

Datasheet
pdf, 662 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов