FGH40T65SQD-F155, IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT
![FGH40T65SQD-F155, IGBTs 650V 40A FS4 TRENCH IGBT](https://static.chipdip.ru/lib/396/DOC043396021.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 140 руб.
от 10 шт. —
970 руб.
от 25 шт. —
809 руб.
от 100 шт. —
648.71 руб.
1 шт.
на сумму 1 140 руб.
Плати частями
от 285 руб. × 4 платежа
от 285 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.6 V |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current at 25 C: | 80 A |
Factory Pack Quantity: | 450 |
Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
Maximum Operating Temperature: | +175 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package/Case: | TO-247-3 |
Packaging: | Tube |
Pd - Power Dissipation: | 238 W |
Product Category: | IGBT Transistors |
Product Type: | IGBT Transistors |
Subcategory: | IGBTs |
Technology: | Si |
Вес, г | 8 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 662 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов