FGHL50T65SQ, IGBT Transistors FS4TIGBT 50A 650V
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 090 руб.
от 10 шт. —
960 руб.
от 25 шт. —
771 руб.
от 100 шт. —
617.59 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 090 руб.
Плати частями
от 274 руб. × 4 платежа
от 274 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Transistors
Using the novel field stop 4th generation IGBT technology. FGHL50T65SQ is single IGBT. This IGBT offers the optimum performance with both low conduction loss and switching loss for a high efficiency operation in various applications.
Технические параметры
| Collector Emitter Saturation Voltage | 1.6В |
| Collector Emitter Voltage Max | 650В |
| Continuous Collector Current | 100А |
| Power Dissipation | 268Вт |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Максимальная Рабочая Температура | 175 C |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Maximum Collector Emitter Voltage | 650 V |
| Maximum Continuous Collector Current | 100 A |
| Maximum Gate Emitter Voltage | ±20V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Maximum Power Dissipation | 268 W |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Transistors | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Вес, г | 0.1167 |
Техническая документация
Datasheet FGHL50T65SQ
pdf, 294 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
