NCV5700DR2G, Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

500 руб.

от 10 шт. — 400 руб.

от 100 шт. — 301 руб.

от 250 шт. — 246.92 руб.

1 шт. на сумму 500 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005374032

Артикул: NCV5700DR2G

Power\Power Management ICs\Gate Drivers

Драйверы для управления затвором HIGH CURRENT IGBT GATE DR

Pd - рассеивание мощности	900 mW
Вид монтажа	SMD/SMT
Время нарастания	9.2 ns
Время спада	7.9 ns
Выходное напряжение	5 V
Выходной ток	7.8 A
Категория продукта	Драйверы для управления затвором
Квалификация	AEC-Q100
Количество выходов	1 Output
Количество драйверов	1 Driver
Максимальная рабочая температура	+ 125 C
Максимальное время задержки включения	75 ns
Максимальное время задержки выключения	75 ns
Минимальная рабочая температура	40 C
Напряжение питания - макс.	20 V
Отключение	Shutdown
Подкатегория	PMIC - Power Management ICs
Продукт	IGBT, MOSFET Gate Drivers
Рабочий ток источника питания	900 uA
Размер фабричной упаковки	2500
Технология	Si
Тип	Half Bridge
Тип продукта	Gate Drivers
Торговая марка	ON Semiconductor
Упаковка / блок	SO-16
Automotive Standard	AEC-Q100
Bridge Type	Half Bridge
Fall Time	7.9ns
High and Low Sides Dependency	Independent
Mounting Type	Surface Mount
Number of Drivers	1
Number of Outputs	1
Output Current	6.8 A, 7.8 A
Package Type	SO
Pin Count	16
Polarity	Non-Inverting
Rise Time	9.2ns
Supply Voltage	30V
Time Delay	75ns
Topology	High and Low Side
Вес, г	0.142