NSVJ5908DSG5T1G, JFET NCH+NCH J-FET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
220 руб.
от 10 шт. —
180 руб.
от 100 шт. —
132 руб.
от 500 шт. —
104.37 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 220 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Automotive JFET designed for compact and efficient designs and including high gain performance. JFET and PPAP capable suitable for automotive applications.
Технические параметры
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 50 mA |
| Maximum Drain Source Voltage | 15 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 300 mW |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | MCPH |
| Pin Count | 5 |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.6mm |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -15В |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Количество Выводов | 5 Выводов |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -1.5В |
| Макс. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss max) | 32мА |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 10мА |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | MCPH |
| Тип Транзистора | JFET |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet NSVJ5908DSG5T1G
pdf, 568 КБ
Datasheet NSVJ5908DSG5T1G
pdf, 164 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
