NVH820S75L4SPB, IGBT Modules 750V, 820A SSD
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
135 500 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 135 500 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 750 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.3 V |
| Configuration: | 6-Pack |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 600 A |
| Factory Pack Quantity: | 4 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 500 uA |
| Manufacturer: | onsemi |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | 183AB |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 1 kW |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, кг | 1.29 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 487 КБ
