SMMBFJ309LT1G, JFET N-Channel JFET Transistor
![SMMBFJ309LT1G, JFET N-Channel JFET Transistor](https://static.chipdip.ru/lib/299/DOC043299807.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
99 руб.
от 100 шт. —
52 руб.
от 1000 шт. —
36.85 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
Brand: | onsemi |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gate-Source Cut-off Voltage: | -6.5 V |
Manufacturer: | onsemi |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package/Case: | SOT-23-3 |
Pd - Power Dissipation: | 225 mW |
Product Category: | JFET |
Product Type: | JFETs |
Qualification: | AEC-Q101 |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Type: | JFET |
Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | -25 V |
Вес, г | 0.04 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 182 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов