MBR20060CT, Diode Modules 60V 200A Schottky Recovery
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
24 шт., срок 5-7 недель
Бесплатная доставка 5Post, СДЭК и Я.Доставка
26 630 руб.
от 10 шт. —
20 260 руб.
1 шт.
на сумму 26 630 руб.
Плати частями
от 6 659 руб. × 4 платежа
от 6 659 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
Технические параметры
| Brand: | GeneSiC Semiconductor |
| Factory Pack Quantity: | 40 |
| If - Forward Current: | 200 A |
| Ifsm - Forward Surge Current: | 1.5 kA |
| Manufacturer: | GeneSiC Semiconductor |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+175 C |
| Package / Case: | Twin Tower |
| Packaging: | Bulk |
| Product Category: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product Type: | Discrete Semiconductor Modules |
| Product: | Schottky Diode Modules-SBD |
| Subcategory: | Discrete Semiconductor Modules |
| Technology: | Si |
| Type: | Schottky Rectifier Module |
| Vf - Forward Voltage: | 800 mV |
| Vr - Reverse Voltage: | 60 V |
| Вес, г | 114 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 707 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы прочие»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
