AS4C256M16D3C-12BIN, DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tray
![AS4C256M16D3C-12BIN, DRAM DDR3, 4G, 256M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, Industrial Temp - Tray](https://static.chipdip.ru/lib/607/DOC007607625.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 100 руб.
от 10 шт. —
1 890 руб.
от 209 шт. —
1 650 руб.
1 шт.
на сумму 2 100 руб.
Плати частями
от 525 руб. × 4 платежа
от 525 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\DRAM
SDRAM - ИС памяти DDR3 4 Гб (256 МБ x 16) Параллельный 800 МГц 20 нс 96-FBGA (7,5 x 13,5)
Технические параметры
Access Time | 20ns |
Clock Frequency | 800MHz |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0036 |
Memory Format | DRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 4Gb (256M x 16) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | -40В°C ~ 95В°C (TC) |
Package | Tray |
Package / Case | 96-TFBGA |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 96-FBGA (7.5x13.5) |
Technology | SDRAM - DDR3 |
Voltage - Supply | 1.425V ~ 1.575V |
Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2853 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем