AS4C32M16D1A-5TCN, DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A

AS4C32M16D1A-5TCN, DRAM DDR1, 512Mb, 32M X 16, 2.5V, 66pin TSOP II, 200 MHz, Commercial Temp A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 260 руб.
от 10 шт.1 040 руб.
от 108 шт.778 руб.
1 шт. на сумму 1 260 руб.
Плати частями
от 315 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005389184
Артикул: AS4C32M16D1A-5TCN

Описание

Semiconductors\Memory ICs\DRAM
Описание Микросхема памяти AS4C32M16D1A-5TCN от производителя ALLIANCE MEMORY представляет собой высокопроизводительную DDR1 SDRAM с монтажом типа SMD. Этот компонент обладает объемом памяти 512Мбит и работает на частоте 200МГц, что обеспечивает отличную скорость передачи данных. Минимальное и максимальное напряжение питания составляет 2,5В, что делает микросхему эффективной в плане энергопотребления. Корпус TSOP66 обеспечивает надежность и долговечность в эксплуатации. AS4C32M16D1A5TCN идеально подходит для области применения в высокоскоростных компьютерных системах, где требуется быстродействующая память для обработки больших объемов данных. Характеристики
Категория Микросхема
Тип памяти
Вид SDRAM, DDR1
Монтаж SMD
Частота, МГц 200
Объем памяти 512Мбит
Мин.напряжение питания, В 2.5
Макс.напряжение питания, В 2.5
Корпус TSOP66

Технические параметры

Access Time 700ps
Clock Frequency 200MHz
ECCN 3A991B2A
HTSUS 8542.32.0024
Memory Format DRAM
Memory Interface Parallel
Memory Size 512Mb (32M x 16)
Memory Type Volatile
Moisture Sensitivity Level (MSL) 3 (168 Hours)
Mounting Type Surface Mount
Operating Temperature 0В°C ~ 70В°C (TA)
Package Tray
Package / Case 66-TSSOP (0.400"", 10.16mm Width)
REACH Status REACH Unaffected
RoHS Status ROHS3 Compliant
Supplier Device Package 66-TSOP II
Technology SDRAM - DDR
Voltage - Supply 2.3V ~ 2.7V
Write Cycle Time - Word, Page 15ns
Вес, г 3.632

Техническая документация

Datasheet
pdf, 1448 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем