AS4C4M16SA-6TIN, DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray
![AS4C4M16SA-6TIN, DRAM SDRAM, 64Mb, 4M x 16, 3.3V, 54pin TSOP II, 166 Mhz, industrial temp - Tray](https://static.chipdip.ru/lib/054/DOC025054630.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
920 руб.
от 10 шт. —
770 руб.
от 108 шт. —
587 руб.
от 540 шт. —
525.97 руб.
1 шт.
на сумму 920 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\DRAM
The Alliance Memory 64Mb SDRAM is a high-speed CMOS synchronous DRAM containing 64 Mbits. It is internally configured as 4 Banks of 1M word x 16 DRAM with a synchronous interface (all signals are registered on the positive edge of the clock signal, CLK).
Технические параметры
Address Bus Width | 13bit |
Data Bus Width | 16bit |
Data Rate | 200MHz |
Maximum Operating Supply Voltage | 3.6 V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Random Access Time | 5.4ns |
Memory Size | 64Mbit |
Minimum Operating Supply Voltage | 3 V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Bits per Word | 16bit |
Number of Words | 4M |
Organisation | 4M x 16 |
Package Type | TSOP |
Pin Count | 54 |
SDRAM Class | DDR |
Width | 10.29mm |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1295 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем