AS4C512M16D3LB-12BCN, DRAM DDR3L, 8G, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ COMMERCIAL TEMP (MT41K512M16HA-125:A)
![AS4C512M16D3LB-12BCN, DRAM DDR3L, 8G, 512M X 16, 1.35V, 96-BALL FBGA, 800MHZ COMMERCIAL TEMP (MT41K512M16HA-125:A)](https://static.chipdip.ru/lib/607/DOC007607421.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
7 490 руб.
от 10 шт. —
6 270 руб.
от 25 шт. —
5 460 руб.
от 50 шт. —
5 446.85 руб.
1 шт.
на сумму 7 490 руб.
Плати частями
от 1 874 руб. × 4 платежа
от 1 874 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\DRAM
SDRAM - ИС памяти DDR3L 8 ГБ (512 МБ x 16) Параллельный 800 МГц 20 нс 96-FBGA (9x13,5)
Технические параметры
Access Time | 20ns |
Clock Frequency | 800MHz |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0036 |
Memory Format | DRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 8Gb (512M x 16) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 0В°C ~ 95В°C (TC) |
Package | Tray |
Package / Case | 96-TFBGA |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 96-FBGA (9x13.5) |
Technology | SDRAM - DDR3L |
Voltage - Supply | 1.283V ~ 1.45V |
Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
Вес, г | 3.07 |
Техническая документация
Datasheet AS4C512M16D3LB-12BCN
pdf, 2221 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем