AS4C64M16D3B-12BCN, DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray
![AS4C64M16D3B-12BCN, DRAM DDR3, 1G, 64M x 16, 1.5V, 96-ball FBGA, 800MHz, (B-die), Commercial Temp - Tray](https://static.chipdip.ru/lib/607/DOC007607421.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 720 руб.
от 10 шт. —
1 500 руб.
от 100 шт. —
1 220 руб.
от 190 шт. —
1 043.02 руб.
1 шт.
на сумму 1 720 руб.
Плати частями
от 430 руб. × 4 платежа
от 430 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\DRAM
SDRAM - ИС памяти DDR3 1 ГБ (64 МБ x 16) Параллельный 800 МГц 20 нс 96-FBGA (9x13)
Технические параметры
Access Time | 20ns |
Clock Frequency | 800MHz |
ECCN | EAR99 |
HTSUS | 8542.32.0032 |
Memory Format | DRAM |
Memory Interface | Parallel |
Memory Size | 1Gb (64M x 16) |
Memory Type | Volatile |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Operating Temperature | 0В°C ~ 95В°C (TC) |
Package | Tray |
Package / Case | 96-TFBGA |
REACH Status | REACH Unaffected |
Supplier Device Package | 96-FBGA (9x13) |
Technology | SDRAM - DDR3 |
Voltage - Supply | 1.425V ~ 1.575V |
Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем