AS6C2008-55STIN, SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM
![AS6C2008-55STIN, SRAM 2M, 3.3V, 55ns 256K x 8 Asynch SRAM](https://static.chipdip.ru/lib/200/DOC043200319.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1 120 руб.
от 10 шт. —
940 руб.
1 шт.
на сумму 1 120 руб.
Плати частями
от 280 руб. × 4 платежа
от 280 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
Технические параметры
Access Time: | 55 ns |
Brand: | Alliance Memory |
Factory Pack Quantity: | 234 |
Interface Type: | Parallel |
Manufacturer: | Alliance Memory |
Maximum Operating Temperature: | +85 C |
Memory Size: | 2 Mbit |
Memory Type: | SDR |
Minimum Operating Temperature: | -40 C |
Moisture Sensitive: | Yes |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Organisation: | 256 k x 8 |
Package/Case: | sTSOP-32 |
Packaging: | Tray |
Product Category: | SRAM |
Product Type: | SRAM |
Subcategory: | Memory & Data Storage |
Supply Current - Max: | 35 mA |
Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
Type: | Asynchronous |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2902 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем