AS6C2016-55ZIN, SRAM 2M, 3.3V, 55ns 128K x 16 Asyn SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
780 руб.
от 10 шт. —
650 руб.
от 100 шт. —
575 руб.
1 шт.
на сумму 780 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
SRAM - ИС асинхронной памяти 2 Мб (128 КБ x 16), параллельный 55 нс 44-TSOP II
Технические параметры
| Access Time | 55ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 2Mb (128K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 44-TSOP (0.400"", 10.16mm Width) |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 44-TSOP II |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
| Low Power | Yes |
| Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
| Maximum Operating Temperature | +85 °C |
| Maximum Random Access Time | 55ns |
| Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
| Minimum Operating Temperature | -40 °C |
| Number of Bits per Word | 16bit |
| Number of Words | 131072 |
| Organisation | 128K x 16 |
| Package Type | TSOP-44 |
| Pin Count | 44 |
| Timing Type | Asynchronous |
| Width | 10.3mm |
Техническая документация
Datasheet AS6C2016-55ZIN
pdf, 502 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
