AS6C4008-55SINTR, SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM
![Фото 1/3 AS6C4008-55SINTR, SRAM 4M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 8 Asynch SRAM](https://static.chipdip.ru/lib/774/DOC043774403.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/975/DOC004975647.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/808/DOC029808858.jpg)
1 040 руб.
от 10 шт. —
850 руб.
от 100 шт. —
735 руб.
1 шт.
на сумму 1 040 руб.
Плати частями
от 260 руб. × 4 платежа
от 260 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
Описание IC: SRAM memory; 512kx8bit; 2.7?5V; 55ns; SOP32; parallel; 450mils Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | памяти |
Вид | SRAM |
Технические параметры
Low Power | Yes |
Maximum Operating Supply Voltage | 5.5 V |
Maximum Operating Temperature | +85 °C |
Maximum Random Access Time | 55ns |
Memory Size | 4Mbit |
Minimum Operating Supply Voltage | 2.7 V |
Minimum Operating Temperature | -40 °C |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Bits per Word | 8bit |
Number of Words | 524288 |
Organisation | 512K x 8 |
Package Type | SOP-32 |
Pin Count | 32 |
Timing Type | Asynchronous |
Width | 11.3mm |
Вес, г | 30 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 716 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем