AS6C8016-55BIN, SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 100 руб.
от 10 шт. —
1 840 руб.
от 25 шт. —
1 610 руб.
от 100 шт. —
1 359.49 руб.
1 шт.
на сумму 2 100 руб.
Плати частями
от 525 руб. × 4 платежа
от 525 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
SRAM - ИС асинхронной памяти 8 Мб (512 КБ x 16), параллельный 55 нс, 48-TFBGA (6 x 8)
Технические параметры
| Access Time: | 55 ns |
| Brand: | Alliance Memory |
| Factory Pack Quantity: | 480 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Alliance Memory |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 8 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organisation: | 512 k x 16 |
| Package/Case: | TBGA-48 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 60 mA |
| Supply Voltage - Max: | 5.5 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Type: | Asynchronous |
| Access Time | 55ns |
| ECCN | 3A991B2A |
| HTSUS | 8542.32.0041 |
| Memory Format | SRAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 8Mb (512K x 16) |
| Memory Type | Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 48-LFBGA |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 48-TFBGA (6x8) |
| Technology | SRAM - Asynchronous |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 5.5V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 55ns |
| Вес, г | 0.4 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 752 КБ
Datasheet AS6C8016-55BIN
pdf, 736 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
