AS6C8016-55BINTR, SRAM 8M, 2.7-5.5V, 55ns 512K x 16 Asyn SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2 130 руб.
от 10 шт. —
1 870 руб.
от 25 шт. —
1 830 руб.
от 100 шт. —
1 417.43 руб.
1 шт.
на сумму 2 130 руб.
Плати частями
от 534 руб. × 4 платежа
от 534 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
Технические параметры
| Access Time: | 55 ns |
| Brand: | Alliance Memory |
| Factory Pack Quantity: | 2000 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Alliance Memory |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Memory Size: | 8 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organisation: | 512 k x 16 |
| Package/Case: | TBGA-48 |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 60 mA |
| Supply Voltage - Max: | 5.5 V |
| Supply Voltage - Min: | 2.7 V |
| Type: | Asynchronous |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 752 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
