MR4A08BCMA35, MRAM 16MB 3.3V 35ns 2Mx8 Parallel MRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
389 шт., срок 4-7 недель
14 540 руб.
от 10 шт. —
12 220 руб.
от 25 шт. —
10 970 руб.
от 50 шт. —
10 690.89 руб.
1 шт.
на сумму 14 540 руб.
Плати частями
от 3 635 руб. × 4 платежа
от 3 635 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\MRAM
MRAM (магниторезистивная RAM) ИС памяти 16 Мб (2M x 8) Параллельный 35 нс 48-FBGA (10x10)
Технические параметры
| Access Time | 35ns |
| ECCN | EAR99 |
| HTSUS | 8542.32.0071 |
| Memory Format | RAM |
| Memory Interface | Parallel |
| Memory Size | 16Mb (2M x 8) |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Moisture Sensitivity Level (MSL) | 5 (48 Hours) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -40В°C ~ 85В°C (TA) |
| Package | Tray |
| Package / Case | 48-LFBGA |
| REACH Status | REACH Unaffected |
| RoHS Status | ROHS3 Compliant |
| Supplier Device Package | 48-FBGA (10x10) |
| Technology | MRAM (Magnetoresistive RAM) |
| Voltage - Supply | 3V ~ 3.6V |
| Write Cycle Time - Word, Page | 35ns |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 832 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
