NPT2021, RF JFET Transistors DC-2.5GHz 45W Gain 16.5dB GaN HEMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
32 810 руб.
от 10 шт. —
26 460 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 32 810 руб.
Плати частями
от 8 204 руб. × 4 платежа
от 8 204 руб. × 4 платежа
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF JFET Transistors
NPTx Series GaN Wideband Transistors MACOM NPTx Series GaN Wideband Transistors are wideband transistors optimized for DC-2GHz operation. They support CW, pulsed, and linear operations with output power levels to 100W (50dBm) in an industry standard plastic package. They are ideally suited for defense communications, land mobile radio, avionics, wireless infrastructure, ISM applications and VHF/UHF/L/S-band radar.
Технические параметры
| Brand: | MACOM |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 20 |
| Gain: | 14.2 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 14 mA |
| Manufacturer: | MACOM |
| Maximum Operating Temperature: | +85 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | Screw Mount |
| Operating Frequency: | 2.5 GHz |
| Operating Temperature Range: | -40 C to+85 C |
| Output Power: | 45 W |
| Package/Case: | TO-272 |
| Packaging: | Tray |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 340 mOhms |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | GaN-on-Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | HEMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 160 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 3 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -1.8 V |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1111 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
