NPTB00004A, RF JFET Transistors DC-6.0GHz 5W Gain 16dB GaN HEMT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
5 470 руб.
от 10 шт. —
4 410 руб.
от 25 шт. —
4 380 руб.
от 50 шт. —
3 854.49 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 5 470 руб.
Плати частями
от 1 369 руб. × 4 платежа
от 1 369 руб. × 4 платежа
Описание
RF & Wireless\RF Transistors\RF JFET Transistors
NPTB00004A GaN HEMT MACOM NPTB00004A GaN HEMT is a wideband transistor optimized for DC-6GHz operation. This device has been designed for CW, pulsed, and linear operation with output power levels to 5W (37dBm) in an industry standard surface mount SOIC plastic package. At frequencies below 3GHz, the NPTB00004A is a drop in replacement for the NPTB00004.
Технические параметры
| Brand: | MACOM |
| Factory Pack Quantity: | 95 |
| Gain: | 16 dB |
| Id - Continuous Drain Current: | 1.4 A |
| Manufacturer: | MACOM |
| Maximum Operating Temperature: | +200 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Operating Frequency: | 6 GHz |
| Package/Case: | SOIC-8 |
| Packaging: | Tray |
| Pd - Power Dissipation: | 11.6 W |
| Product Category: | RF JFET Transistors |
| Product Type: | RF JFET Transistors |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.6 Ohms |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | GaN-on-Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Transistor Type: | HEMT |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | -1.6 V |
| Вес, г | 0.22 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 2161 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
