C2M0080120D, SiC MOSFETs ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
1199 шт., срок 5-7 недель
7 870 руб.
от 10 шт. —
6 570 руб.
от 30 шт. —
5 410 руб.
от 60 шт. —
5 306.45 руб.
1 шт.
на сумму 7 870 руб.
Плати частями
от 1 969 руб. × 4 платежа
от 1 969 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Wolfspeed Z-Fet™, C2M™ & C3M™ Silicon Carbide Power MOSFETs. A range of second generation SiC MOSFETs from Cree's power division Wolfspeed which deliver industry-leading power density and switching efficiency.
Технические параметры
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Maximum Continuous Drain Current | 31 A |
| Maximum Drain Source Resistance | 208 mΩ |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -10 V, +25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.2V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Maximum Power Dissipation | 208 W |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.7V |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Through Hole |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Package Type | TO-247 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Transistor Material | SiC |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 49.2 nC @ 20 V |
| Width | 5.21mm |
| Вес, г | 7.967 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
