C3M0065090D, SiC MOSFETs G3 SiC MOSFET 900V, 65mOhm
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2735 шт., срок 5-7 недель
5 050 руб.
от 10 шт. —
4 460 руб.
от 30 шт. —
3 770 руб.
от 60 шт. —
3 345.22 руб.
1 шт.
на сумму 5 050 руб.
Плати частями
от 1 264 руб. × 4 платежа
от 1 264 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
Описание Транзистор МОП n-канальный, полевой, 900В, 36А, 125Вт, TO263-8 Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | полевой |
Вид | MOSFET |
Технические параметры
Channel Type | N Channel |
Drain Source On State Resistance | 0.065Ом |
Power Dissipation | 125Вт |
Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
Конфигурация МОП-транзистора | Single |
Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
Напряжение Измерения Rds(on) | 15В |
Напряжение Истока-стока Vds | 900В |
Непрерывный Ток Стока | 36А |
Полярность Транзистора | N Канал |
Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
Рассеиваемая Мощность | 125Вт |
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.065Ом |
Стиль Корпуса Транзистора | TO-247 |
Channel Mode | Enhancement |
Forward Diode Voltage | 4.8V |
Maximum Continuous Drain Current | 36 A |
Maximum Drain Source Resistance | 78 mΩ |
Maximum Drain Source Voltage | 900 V |
Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +18 V |
Maximum Gate Threshold Voltage | 2.1V |
Maximum Operating Temperature | +150 °C |
Maximum Power Dissipation | 125 W |
Minimum Gate Threshold Voltage | 1.8V |
Minimum Operating Temperature | -55 °C |
Mounting Type | Through Hole |
Number of Elements per Chip | 1 |
Package Type | TO-247 |
Pin Count | 3 |
Transistor Configuration | Single |
Transistor Material | SiC |
Typical Gate Charge @ Vgs | 30.4 nC @ 15 V |
Width | 21.1mm |
Вес, г | 39 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.