IR2233JPbF, Gate Drivers 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD
![Фото 1/4 IR2233JPbF, Gate Drivers 1200V 3-Phase,0.5A OCP, OPAMP, FAULT,SD](https://static.chipdip.ru/lib/849/DOC043849622.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/521/DOC006521116.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/892/DOC005892896.jpg)
![](https://static.chipdip.ru/lib/608/DOC007608928.jpg)
1 980 руб.
от 10 шт. —
1 710 руб.
от 25 шт. —
1 630 руб.
от 100 шт. —
1 318.65 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 980 руб.
Плати частями
от 495 руб. × 4 платежа
от 495 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
Описание IC: driver; IGBT three-phase bridge,MOSFET three-phase bridge Характеристики Категория | Микросхема |
Тип | драйвер |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Pd - рассеивание мощности | 2 W |
Вид монтажа | SMD/SMT |
Время нарастания | 150 ns |
Время спада | 70 ns |
Высота | 3.69 mm |
Выходное напряжение | 0.3 V |
Выходной ток | 200 mA |
Длина | 16.66 mm |
Другие названия товара № | SP001539516 |
Категория продукта | Драйверы для управления затвором |
Количество выходов | 6 |
Количество драйверов | 6 Driver |
Максимальная рабочая температура | + 125 C |
Максимальное время задержки включения | 750 ns |
Максимальное время задержки выключения | 700 ns |
Минимальная рабочая температура | 40 C |
Напряжение питания - макс. | 20 V |
Напряжение питания - мин. | 10 V |
Особенности | Independent |
Подкатегория | PMIC - Power Management ICs |
Продукт | MOSFET Gate Drivers |
Рабочее напряжение питания | 625 V |
Рабочий ток источника питания | 100 uA |
Размер фабричной упаковки | 1134 |
Технология | Si |
Тип | High Side, Low Side |
Тип логики | CMOS, TTL |
Тип продукта | Gate Drivers |
Торговая марка | Infineon Technologies |
Упаковка | Tube |
Упаковка / блок | PLCC-44 |
Ширина | 16.66 mm |
Base Product Number | IR2233 -> |
Channel Type | 3-Phase |
Current - Peak Output (Source, Sink) | 250mA, 500mA |
Driven Configuration | Half-Bridge |
ECCN | EAR99 |
Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 1200V |
HTSUS | 8542.39.0001 |
Input Type | Inverting |
Logic Voltage - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 3 (168 Hours) |
Mounting Type | Surface Mount |
Number of Drivers | 6 |
Operating Temperature | 125В°C (TJ) |
Package | Tube |
Package / Case | 44-LCC (J-Lead), 32 Leads |
REACH Status | REACH Unaffected |
Rise / Fall Time (Typ) | 90ns, 40ns |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
Voltage - Supply | 10V ~ 20V |
Brand | Infineon Technologies |
Configuration | Inverting |
Factory Pack Quantity | 54 |
Fall Time | 70 ns |
Features | Independent |
Height | 3.69 mm(Min) |
Length | 16.66 mm(Max) |
Logic Type | CMOS, LSTTL |
Manufacturer | Infineon |
Maximum Operating Temperature | +125 C |
Maximum Turn-Off Delay Time | 700 ns |
Maximum Turn-On Delay Time | 750 ns |
Minimum Operating Temperature | -40 C |
Mounting Style | SMD/SMT |
Number of Outputs | 6 |
Operating Supply Current | 100 uA |
Operating Supply Voltage | 625 V |
Output Current | 200 mA |
Output Voltage | 0.3 V |
Packaging | Tube |
Pd - Power Dissipation | 2 W |
Product | MOSFET Gate Drivers |
Product Category | Gate Drivers |
Rise Time | 150 ns |
RoHS | Details |
Supply Voltage - Max | 20 V |
Supply Voltage - Min | 10 V |
Type | 3 Phase Bridge Driver |
Unit Weight | 0.084185 oz |
Width | 16.66 mm(Max) |
Category | Integrated Circuits(ICs) |
Current - Peak | 250mA |
Delay Time | 750ns |
Family | PMIC-MOSFET, Bridge Drivers-External Switch |
Number of Configurations | 1 |
Online Catalog | 3 Phase Bridge |
Product Training Modules | High Voltage Integrated Circuits(HVIC Gate Drivers) |
Standard Package | 27 |
Вес, г | 2.387 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 523 КБ
Using IR monolithic high voltage gate drivers
pdf, 356 КБ
Datasheet IR2233
pdf, 429 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем