IRS2106STRPBF, Gate Drivers Hi&Lw Sd Drvr All HiVolt Pins 1 Sd
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
380 руб.
от 10 шт. —
300 руб.
от 100 шт. —
217 руб.
от 500 шт. —
179.40 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 380 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Power\Power Management ICs\Gate Drivers
ИС драйвера затвора EiceDRIVER ™ ИС драйвера затвора Infineon EiceDRIVER ™ разработаны для полевых МОП-транзисторов, IGBT, SiC-полевых МОП-транзисторов и устройств GaN HEMT. Драйверы затвора EiceDRIVER ™ обеспечивают широкий диапазон типичных вариантов выходного тока от 0,1 А до 10 А. Эти устройства имеют надежные функции защиты привода затвора, такие как быстрая защита от короткого замыкания (DESAT), активный зажим Миллера, защита от сквозного прохода, защита от сбоев, отключения и перегрузки по току. Эти особенности делают эти микросхемы драйверов хорошо подходящими как для кремниевых, так и для широкозонных устройств питания, включая CoolGaN ™ и CoolSiC ™. Вот почему Infineon предлагает более 500 ИС драйверов затвора EiceDRIVER ™, подходящих для любого выключателя питания и любого приложения.
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 2500 |
| Fall Time: | 80 ns |
| Features: | Independent |
| Logic Type: | CMOS, TTL |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Operating Temperature: | +125 C |
| Maximum Turn-Off Delay Time: | 200 ns |
| Maximum Turn-On Delay Time: | 220 ns |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Number of Drivers: | 2 Driver |
| Number of Outputs: | 2 Output |
| Operating Supply Current: | 180 uA |
| Output Current: | 290 mA |
| Package / Case: | SOIC-8 |
| Part # Aliases: | IRS2106STRPBF SP001534424 |
| Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
| Product Category: | Gate Drivers |
| Product Type: | Gate Drivers |
| Product: | IGBT, MOSFET Gate Drivers |
| Propagation Delay - Max: | 300 ns |
| Rise Time: | 220 ns |
| Subcategory: | PMIC-Power Management ICs |
| Supply Voltage - Max: | 20 V |
| Supply Voltage - Min: | 10 V |
| Technology: | Si |
| Type: | High-Side, Low-Side |
| Вес, г | 0.54 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 497 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Драйверы MOSFET и IGBT»
Типы корпусов импортных микросхем
