71V416S10BEG, SRAM 256Kx16 ASYNCHRONOUS 3.3V CMOS SRAM
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
225 шт., срок 4-7 недель
2 540 руб.
от 10 шт. —
2 240 руб.
от 25 шт. —
1 790 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 540 руб.
Плати частями
от 635 руб. × 4 платежа
от 635 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Memory ICs\SRAM
Asynchronous SRAMs Renesas Electronics Asynchronous SRAMs are based on high-performance, high-reliability CMOS technology. The technology and innovative circuit design techniques provide a cost-effective solution for high-speed async SRAM memory needs. Fully static asynchronous circuitry requires no clocks or refresh for operation. Renesas delivers asynchronous SRAM in RoHS 6/6-compliant (Green) packaging using industry-standard package options.
Технические параметры
| Access Time: | 10 ns |
| Brand: | Renesas Electronics |
| Factory Pack Quantity: | 250 |
| Interface Type: | Parallel |
| Manufacturer: | Renesas Electronics |
| Maximum Operating Temperature: | +70 C |
| Memory Size: | 4 Mbit |
| Memory Type: | SDR |
| Minimum Operating Temperature: | 0 C |
| Moisture Sensitive: | Yes |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Organisation: | 256 k x 16 |
| Package/Case: | CABGA-48 |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | IDT71V416S10BEG 71V416 |
| Product Category: | SRAM |
| Product Type: | SRAM |
| Subcategory: | Memory & Data Storage |
| Supply Current - Max: | 200 mA |
| Supply Voltage - Max: | 3.6 V |
| Supply Voltage - Min: | 3 V |
| Type: | Asynchronous |
| Вес, г | 16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 184 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Микросхемы памяти»
Типы корпусов импортных микросхем
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
