VCR2N, JFET JFET N-Channel -15V Low Noise
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
99 шт., срок 6-8 недель
2 920 руб.
от 10 шт. —
2 380 руб.
от 50 шт. —
2 020 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 2 920 руб.
Плати частями
от 730 руб. × 4 платежа
от 730 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
Технические параметры
| Brand: | InterFET |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1 |
| Gate-Source Cutoff Voltage: | 3.5 V |
| Manufacturer: | InterFET |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package / Case: | TO-18-3 |
| Packaging: | Bulk |
| Pd - Power Dissipation: | 300 mW |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 60 Ohms |
| Series: | VCR2N |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | Si |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Type: | JFET |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 10 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 15 V |
| Вес, г | 3.26 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 324 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
