MMBT3904FN3_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA DFN3L

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9612 шт., срок 5-7 недель

75 руб.

от 10 шт. — 52 руб.

от 100 шт. — 20 руб.

от 1000 шт. — 11.89 руб.

1 шт. на сумму 75 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения2

Номенклатурный номер: 8005433201

Артикул: MMBT3904FN3_R1_00001

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Panjit
Collector- Base Voltage VCBO:	60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	300 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	200 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min:	100 at 10 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max:	300 at 10 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity:	8000
Manufacturer:	Panjit
Maximum DC Collector Current:	200 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	SMD/SMT
Package/Case:	DFN-3
Pd - Power Dissipation:	250 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Technology:	Si
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.0011