MMBT3904_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA SOT-23

MMBT3904_R1_00001, Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSES WITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC200mA SOT-23
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
22749 шт., срок 5-7 недель
29 руб.
от 10 шт.19 руб.
от 100 шт.9.20 руб.
от 1000 шт.5.12 руб.
1 шт. на сумму 29 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005433202
Артикул: MMBT3904_R1_00001

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Технические параметры

Brand: Panjit
Collector- Base Voltage VCBO: 60 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 300 mV
Configuration: Single
Continuous Collector Current: 200 mA
DC Collector/Base Gain hFE Min: 100 at 10 mA, 1 V
DC Current Gain hFE Max: 300 at 10 mA, 1 V
Emitter- Base Voltage VEBO: 6 V
Factory Pack Quantity: 3000
Manufacturer: Panjit
Maximum DC Collector Current: 200 mA
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 225 mW
Product Category: Bipolar Transistors-BJT
Product Type: BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory: Transistors
Technology: Si
Transistor Polarity: NPN
Вес, г 0.01

Техническая документация

Datasheet
pdf, 475 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.