PJA3470_R1_00001, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET

PJA3470_R1_00001, MOSFETs 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
5587 шт., срок 5-7 недель
130 руб.
от 10 шт.99 руб.
от 100 шт.64 руб.
от 1000 шт.34.04 руб.
1 шт. на сумму 130 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005433215
Артикул: PJA3470_R1_00001

Описание

Unclassified
100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs Panjit 100V N-Channel Enhancement Mode MOSFETs feature low RDS(ON) and high-switching speed. These MOSFETs consist of low reverse transfer capacitance and green molding compounds as per IEC 61249 standard. The 100V enhancement mode MOSFETs are lead-free and compliant with EU RoHS 2.0. These MOSFETs are 100% UIS / Rg tested. Typical applications include a PD charger, adapter, lighting, home appliance, and DC-DC converter.

Технические параметры

Brand: Panjit
Channel Mode: Enhancement
Factory Pack Quantity: 3000
Fall Time: 19 ns
Id - Continuous Drain Current: 1.3 A
Manufacturer: Panjit
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package/Case: SOT-23-3
Pd - Power Dissipation: 1.25 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 9.1 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 320 mOhms
Rise Time: 21 ns
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Typical Turn-Off Delay Time: 12 ns
Typical Turn-On Delay Time: 2 ns
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 100 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 2.5 V
Вес, г 0.01

Техническая документация

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов

Сроки доставки

Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.