UJ3N065080K3S, JFET 650V/80mOhms,SIC, JFET,G3,TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
188 шт., срок 6-8 недель
1 790 руб.
от 25 шт. —
1 500 руб.
от 100 шт. —
1 220 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 1 790 руб.
Плати частями
от 449 руб. × 4 платежа
от 449 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
QSPICE™ Simulator Qorvo QSPICE™ Simulator delivers a significant step in the evolution of circuit simulation. QSPICE provides reliable power and analog simulation with speed and accuracy, with the ability to incorporate massive quantities of digital logic. The QSPICE modeling language was created with the advantage of hindsight from having authored thousands of mixed-mode simulation models. This design tool is licensed for commercial and educational use by everyone, is free to download and use, and has no feature limitations.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Id - Continuous Drain Current: | 32 A |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 190 W |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 80 mOhms |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Вес, г | 16 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 299 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
