UJ3N120070K3S, JFET 1200V/70mOhms,SIC, JFET,G3,TO247-3
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
205 шт., срок 6-8 недель
3 690 руб.
от 25 шт. —
2 900 руб.
от 100 шт. —
2 340 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 3 690 руб.
Плати частями
от 924 руб. × 4 платежа
от 924 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\JFET
QSPICE™ Simulator Qorvo QSPICE™ Simulator delivers a significant step in the evolution of circuit simulation. QSPICE provides reliable power and analog simulation with speed and accuracy, with the ability to incorporate massive quantities of digital logic. The QSPICE modeling language was created with the advantage of hindsight from having authored thousands of mixed-mode simulation models. This design tool is licensed for commercial and educational use by everyone, is free to download and use, and has no feature limitations.
Технические параметры
| Brand: | Qorvo |
| Configuration: | Single |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Id - Continuous Drain Current: | 33.5 A |
| Manufacturer: | Qorvo |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 254 W |
| Product Category: | JFET |
| Product Type: | JFETs |
| Qualification: | AEC-Q101 |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 70 mOhms |
| Subcategory: | Transistors |
| Technology: | SiC |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs - Gate-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Вес, г | 11 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 298 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
