Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Полевые (FETs, MOSFETs) › ST Microelectronics › STD18N55M5, MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh ...

STD18N55M5, MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

2617 шт., срок 6-8 недель

850 руб.

от 10 шт. — 670 руб.

от 25 шт. — 619 руб.

от 100 шт. — 481.15 руб.

Добавить в корзину 1 шт. на сумму 850 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Альтернативные предложения3

Номенклатурный номер: 8005442088

Артикул: STD18N55M5

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET

Описание Транзистор: N-MOSFET, полевой, 600В, 16А, 110Вт, DPAK Характеристики

Категория	Транзистор
Тип	полевой
Вид	MOSFET

Технические параметры

Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C	16A(Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss)	550V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	31nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1260pF @ 100V
Manufacturer	STMicroelectronics
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	150В°C(TJ)
Package / Case	TO-252-3, DPak(2 Leads+Tab), SC-63
Packaging	Tape & Reel(TR)
Part Status	Active
Power Dissipation (Max)	110W(Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	192 mOhm @ 8A, 10V
Series	MDmeshв(ў V
Supplier Device Package	DPAK
Technology	MOSFET(Metal Oxide)
Vgs (Max)	В±25V
Vgs(th) (Max) @ Id	5V @ 250ВµA
MSL(Уровень чувствительности к влажности)	1
Диапазон рабочих температур	-55…+150 °С
Емкость, пФ	1260
Заряд затвора, нКл	31
Максимально допустимое напряжение	затвор-исток(Vgs)±25 В
Максимальное напряжение сток-исток, В	550
Максимальный ток стока (при Ta=25C), А	16
Минимальное сопротивление открытого канала, мОм	192
Мощность	рассеиваемая(max)-110 Вт
Напряжение	пороговое затвора(Vgs th)-5 В
Описание	N-Channel 550 V 16A(Tc)110W(Tc)Surface Mount DPAK
Способ монтажа	поверхностный(SMT)
Тип	MOSFET
Тип проводимости	N
Транспортная упаковка: размер/кол-во	584646/500
Упаковка	REEL, 2500 шт.
Вес, г	0.4