STGB15M65DF2, IGBTs Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V 15 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
716 шт., срок 5-7 недель
510 руб.
от 10 шт. —
420 руб.
от 100 шт. —
313 руб.
от 500 шт. —
248.95 руб.
1 шт.
на сумму 510 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Unclassified
STM 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs STMicroelectronics 650V M Series Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. STMicroelectronics 650V M series supply a 3A-150A maximum collector current for applications with up to 100kHz operating frequency. The IGBTs have an optimized design and are available in a tailored built-in anti-parallel diode. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution result in safer paralleling operation.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.55 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Continuous Collector Current Ic Max: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: | 1000 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | +/-250 uA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package/Case: | D2PAK-3 |
| Pd - Power Dissipation: | 136 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 2 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 916 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
