Главная › Электронные компоненты › Транзисторы › Биполярные с изолированным затвором (IGBTs) › ST Microelectronics › STGF20H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop ...

STGF20H65DFB2, IGBTs Trench gate field-stop 650 V, 20 A high speed HB2 series IGBT

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

990 шт., срок 5-7 недель

510 руб.

от 10 шт. — 300 руб.

от 100 шт. — 241 руб.

от 250 шт. — 222.86 руб.

1 шт. на сумму 510 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005442145

Артикул: STGF20H65DFB2

Бренд: STMicroelectronics

Описание

Unclassified

IGBT V Series STMicroelectronics 600V trench-gate field-stop very high-speed IGBT V series features the industry's lowest Eoff. Combined with a saturation voltage as low as 1.8V and a maximum operating junction temperature of 175°C, they enable increased system efficiency, higher switching frequencies (up to 120kHz), and simplified thermal and EMI design.

Технические параметры

Brand:	STMicroelectronics
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.65 V
Configuration:	Single
Continuous Collector Current at 25 C:	40 A
Factory Pack Quantity:	1000
Manufacturer:	STMicroelectronics
Maximum Gate Emitter Voltage:	-20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-55 C
Mounting Style:	Through Hole
Packaging:	Tube
Pd - Power Dissipation:	45 W
Product Category:	IGBT Transistors
Product Type:	IGBT Transistors
Subcategory:	IGBTs
Technology:	Si
Категория продукта	Биполярные транзисторы с изолированным затвором (I
Подкатегория	IGBTs
Размер фабричной упаковки	1000
Тип продукта	IGBT Transistors
Торговая марка	STMicroelectronics
Упаковка	Tube
Maximum Collector Emitter Voltage	650 V
Maximum Continuous Collector Current	40 A
Maximum Gate Emitter Voltage	±20V
Maximum Power Dissipation	45 W
Number of Transistors	1
Package Type	TO-220FP
Pin Count	3
Вес, г	2