STGW15M120DF3, IGBTs Trench gate field-stop IGBT, M series 1200 V, 15 A low loss
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
596 шт., срок 5-7 недель
1 340 руб.
от 10 шт. —
1 040 руб.
от 25 шт. —
950 руб.
от 100 шт. —
761.22 руб.
1 шт.
на сумму 1 340 руб.
Плати частями
от 335 руб. × 4 платежа
от 335 руб. × 4 платежа
Описание
Unclassified
M Series 1200V Trench Gate Field-Stop IGBTs STMicroelectronics M Trench Gate Field-Stop IGBTs are developed using an advanced proprietary trench gate field-stop structure. These devices represent an optimum compromise in performance to maximize the efficiency of inverter systems where low-loss and short circuit capability are essential. A positive VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution also result in safer paralleling operation. Typical applications for these devices include industrial drives, UPS, solar, and welding.
Технические параметры
| Brand: | STMicroelectronics |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 1.2 kV |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.85 V |
| Configuration: | Single |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 30 A |
| Factory Pack Quantity: | 600 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 250 nA |
| Manufacturer: | STMicroelectronics |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | -20 V, 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Package/Case: | TO-247-3 |
| Packaging: | Tube |
| Pd - Power Dissipation: | 283 W |
| Product Category: | IGBT Transistors |
| Product Type: | IGBT Transistors |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 38 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 1026 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.
