FGA5065ADF, IGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench

FGA5065ADF, IGBTs IGBT, 650 V, 50 A Field Stop Trench
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
1 390 руб.
от 10 шт.1 080 руб.
от 25 шт.1 010 руб.
1 шт. на сумму 1 390 руб.
Плати частями
от 349 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005442820
Артикул: FGA5065ADF

Описание

Unclassified

Технические параметры

Brand: onsemi/Fairchild
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: 650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage: 1.7 V
Configuration: Single
Continuous Collector Current at 25 C: 100 A
Continuous Collector Current Ic Max: 50 A
Factory Pack Quantity: 450
Gate-Emitter Leakage Current: +/-400 nA
Manufacturer: onsemi
Maximum Gate Emitter Voltage: -20 V, 20 V
Maximum Operating Temperature: +175 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: Through Hole
Package/Case: TO-3PN
Packaging: Tube
Pd - Power Dissipation: 268 W
Product Category: IGBT Transistors
Product Type: IGBT Transistors
Subcategory: IGBTs
Technology: Si
Вес, г 7

Техническая документация

Datasheet
pdf, 501 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов