MMBF4093, JFETs N-Channel Switch
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
140 руб.
от 10 шт. —
110 руб.
от 100 шт. —
52 руб.
от 1000 шт. —
37.79 руб.
1 шт.
на сумму 140 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Посмотреть аналоги4
Описание
Unclassified
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
Технические параметры
| Channel Type | N |
| Configuration | Single |
| Idss Drain-Source Cut-off Current | min.8mA |
| Maximum Drain Gate Voltage | 40V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 Ω |
| Maximum Drain Source Voltage | 0.2 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -40 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package Type | SOT-23 |
| Pin Count | 3 |
| Transistor Configuration | Single |
| Width | 1.3mm |
| Gate Source Breakdown Voltage Max | -40В |
| Количество Выводов | 3 Вывода |
| Макс. Напряжение Откл. Затвор-исток Vgs(off) | -5В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Мин. Ток Стока при Напряжении = 0 (Idss min) | 8мА |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Тип Транзистора | JFET |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Вес, г | 1 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые с управляющим PN-переходом (JFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
