CSD17522Q5A, MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET

CSD17522Q5A, MOSFET 30V,NCh Nex FET Pwr MOSFET
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
330 руб.
от 10 шт.260 руб.
от 100 шт.187 руб.
от 500 шт.147.70 руб.
Добавить в корзину 1 шт. на сумму 330 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
Номенклатурный номер: 8005467032
Артикул: CSD17522Q5A
Бренд: Texas Instruments

Описание

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
NexFET™ Power MOSFETs Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.

Технические параметры

Brand: Texas Instruments
Channel Mode: Enhancement
Configuration: Single
Factory Pack Quantity: 2500
Id - Continuous Drain Current: 100 A
Manufacturer: Texas Instruments
Maximum Operating Temperature: +150 C
Minimum Operating Temperature: -55 C
Mounting Style: SMD/SMT
Number of Channels: 1 Channel
Package / Case: VSONP-8
Pd - Power Dissipation: 3 W
Product Category: MOSFET
Product Type: MOSFET
Qg - Gate Charge: 3.6 nC
Rds On - Drain-Source Resistance: 12.4 mOhms
Subcategory: MOSFETs
Technology: Si
Transistor Polarity: N-Channel
Transistor Type: 1 N-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: 30 V
Vgs - Gate-Source Voltage: -20 V, +20 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: 1.6 V
Вес, г 0.08

Техническая документация

Datasheet CSD17522Q5A
pdf, 328 КБ

Дополнительная информация

Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов