CSD17556Q5B, MOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs
![CSD17556Q5B, MOSFET 30V N-Ch NexFET Power MOSFETs](https://static.chipdip.ru/lib/999/DOC046999175.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
690 руб.
от 10 шт. —
540 руб.
от 100 шт. —
407 руб.
от 500 шт. —
300.87 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 690 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\MOSFET
NexFET™ Power MOSFETs Texas Instruments NexFET™ Power MOSFETs deliver half the gate charge for the same resistance so that designers can achieve 90% power-supply efficiencies with double the frequency. These NexFET power MOSFETs combine vertical current flow with a lateral power MOSFET. These devices provide a low on resistance and require an extremely low gate charge with industry-standard package outlines. Texas Instruments NexFET Power MOSFET technology improves energy efficiency in high-power computing, networking, server systems, and power supplies.
Технические параметры
Brand: | Texas Instruments |
Channel Mode: | Enhancement |
Configuration: | Single |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Fall Time: | 12 ns |
Forward Transconductance - Min: | 197 S |
Id - Continuous Drain Current: | 100 A |
Manufacturer: | Texas Instruments |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -55 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Number of Channels: | 1 Channel |
Package / Case: | VSON-CLIP-8 |
Pd - Power Dissipation: | 3.1 W |
Product Category: | MOSFET |
Product Type: | MOSFET |
Qg - Gate Charge: | 28.5 nC |
Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 mOhms |
Rise Time: | 26 ns |
Subcategory: | MOSFETs |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | N-Channel |
Transistor Type: | 1 N-Channel |
Typical Turn-Off Delay Time: | 27 ns |
Typical Turn-On Delay Time: | 14 ns |
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.4 V |
Вес, г | 0.13 |
Техническая документация
Datasheet CSD17556Q5B
pdf, 904 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы полевые (FETs, MOSFETs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов