2N1479 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN SS Power
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
199 шт., срок 5-7 недель
1 120 руб.
от 10 шт. —
870 руб.
от 25 шт. —
794 руб.
от 100 шт. —
636.74 руб.
1 шт.
на сумму 1 120 руб.
Плати частями
от 280 руб. × 4 платежа
от 280 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 60 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 40 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.4 V |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 6 V |
Factory Pack Quantity: | 500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 1.5 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 1.5 A |
Maximum Operating Temperature: | +200 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Pd - Power Dissipation: | 5 W |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 160 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.