2N3251 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT PNP Gen Pur SS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

529 шт., срок 5-7 недель

1 390 руб.

от 10 шт. — 1 080 руб.

от 25 шт. — 986 руб.

от 100 шт. — 789.94 руб.

1 шт. на сумму 1 390 руб.

Плати частями
от 349 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005473775

Артикул: 2N3251 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	50 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	40 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	500 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	200 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	100
DC Current Gain hFE Max:	300
Emitter- Base Voltage VEBO:	5 V
Factory Pack Quantity:	2000
Gain Bandwidth Product fT:	300 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	200 mA
Maximum Operating Temperature:	+200 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-18-3
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	360 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	PNP
Вес, г	0.31