2N5172 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS
![2N5172 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS](https://static.chipdip.ru/lib/016/DOC047016205.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
2953 шт., срок 5-7 недель
180 руб.
от 10 шт. —
160 руб.
от 100 шт. —
98 руб.
от 500 шт. —
91.10 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Альтернативные предложения1
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Биполярный (BJT) транзистор NPN 25V 100mA 200MHz 625mW Through Hole TO-92
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 25 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 25 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 250 mV |
Configuration: | Single |
Continuous Collector Current: | 100 mA |
DC Collector/Base Gain hfe Min: | 100 |
DC Current Gain hFE Max: | 500 |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 2500 |
Gain Bandwidth Product fT: | 200 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | Through Hole |
Package / Case: | TO-92 |
Packaging: | Bulk |
Pd - Power Dissipation: | 625 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Transistor Polarity: | NPN |
Current - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Current - Collector Cutoff (Max) | 100nA |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 10mA, 10V |
ECCN | EAR99 |
Frequency - Transition | 200MHz |
HTSUS | 8541.21.0075 |
Moisture Sensitivity Level (MSL) | 1 (Unlimited) |
Mounting Type | Through Hole |
Operating Temperature | -65В°C ~ 150В°C (TJ) |
Package | Bulk |
Package / Case | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Power - Max | 625mW |
REACH Status | REACH Unaffected |
RoHS Status | ROHS3 Compliant |
Supplier Device Package | TO-92 |
Transistor Type | NPN |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
Вес, г | 0.21 |
Техническая документация
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.