2N5550 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

9430 шт., срок 5-7 недель

140 руб.

от 10 шт. — 120 руб.

от 100 шт. — 83 руб.

от 500 шт. — 62.44 руб.

1 шт. на сумму 140 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005473793

Артикул: 2N5550 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	160 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	140 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	250 mV
Configuration:	Single
Continuous Collector Current:	600 mA
DC Collector/Base Gain hfe Min:	60
DC Current Gain hFE Max:	250
Emitter- Base Voltage VEBO:	6 V
Factory Pack Quantity:	2500
Gain Bandwidth Product fT:	300 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	600 mA
Maximum Operating Temperature:	+150 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Package / Case:	TO-92
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	625 mW
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	0.4536