2N699 PBFREE, Bipolar Transistors - BJT NPN 120Vcbo 80Vceo 7.0Vebo 150mA 15pF

Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию

333 шт., срок 5-7 недель

680 руб.

от 10 шт. — 530 руб.

от 100 шт. — 397 руб.

от 250 шт. — 342.31 руб.

1 шт. на сумму 680 руб.

Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа

Номенклатурный номер: 8005473804

Артикул: 2N699 PBFREE

Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT

Brand:	Central Semiconductor
Collector- Base Voltage VCBO:	120 V
Collector- Emitter Voltage VCEO Max:	80 V
Collector-Emitter Saturation Voltage:	1.3 V
Configuration:	Single
Emitter- Base Voltage VEBO:	7 V
Factory Pack Quantity:	500
Gain Bandwidth Product fT:	60 MHz
Manufacturer:	Central Semiconductor
Maximum DC Collector Current:	150 mA
Maximum Operating Temperature:	+175 C
Minimum Operating Temperature:	-65 C
Mounting Style:	Through Hole
Packaging:	Bulk
Pd - Power Dissipation:	2 W
Product Category:	Bipolar Transistors-BJT
Product Type:	BJTs-Bipolar Transistors
Subcategory:	Transistors
Transistor Polarity:	NPN
Вес, г	3