CMUT5088E TR PBFREE, Bipolar Transistors - BJT Enh Spec 50Vcbo 50Vceo 5.0Vebo 350mW
![](https://static.chipdip.ru/images/layout/noimage/230px.png)
562 шт., срок 5-7 недель
180 руб.
от 10 шт. —
150 руб.
от 100 шт. —
95 руб.
от 500 шт. —
76.34 руб.
1 шт.
на сумму 180 руб.
Плати частями
от 0 руб. × 4 платежа
от 0 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\Bipolar Transistors - BJT
Технические параметры
Brand: | Central Semiconductor |
Collector- Base Voltage VCBO: | 50 V |
Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 50 V |
Collector-Emitter Saturation Voltage: | 110 mV |
Configuration: | Single |
Emitter- Base Voltage VEBO: | 5 V |
Factory Pack Quantity: | 3000 |
Gain Bandwidth Product fT: | 100 MHz |
Manufacturer: | Central Semiconductor |
Maximum DC Collector Current: | 100 mA |
Maximum Operating Temperature: | +150 C |
Minimum Operating Temperature: | -65 C |
Mounting Style: | SMD/SMT |
Package / Case: | SOT-523 |
Pd - Power Dissipation: | 350 mW |
Product Category: | Bipolar Transistors-BJT |
Product Type: | BJTs-Bipolar Transistors |
Subcategory: | Transistors |
Technology: | Si |
Transistor Polarity: | NPN |
Вес, г | 1 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 418 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные (BJTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
Сроки доставки
Выберите регион, чтобы увидеть способы получения товара.