F3L150R07W2E3_B11, IGBT Modules IGBT MODULES 650V 150A
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
23 300 руб.
от 10 шт. —
18 530 руб.
1 шт.
на сумму 23 300 руб.
Плати частями
от 5 825 руб. × 4 платежа
от 5 825 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Технические параметры
| Brand: | Infineon Technologies |
| Collector- Emitter Voltage VCEO Max: | 650 V |
| Collector-Emitter Saturation Voltage: | 1.45 V |
| Configuration: | 3-Phase Inverter |
| Continuous Collector Current at 25 C: | 150 A |
| Factory Pack Quantity: | 15 |
| Gate-Emitter Leakage Current: | 400 nA |
| Manufacturer: | Infineon |
| Maximum Gate Emitter Voltage: | 20 V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -40 C |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | Module |
| Packaging: | Tray |
| Part # Aliases: | SP000638568 F3L150R07W2E3B11BOMA1 |
| Pd - Power Dissipation: | 335 W |
| Product Category: | IGBT Modules |
| Product Type: | IGBT Modules |
| Product: | IGBT Silicon Modules |
| Subcategory: | IGBTs |
| Technology: | Si |
| Вес, г | 40 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 769 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов
