FF200R17KE4, IGBT Modules IGBT Module 200A 1700V
![Фото 1/2 FF200R17KE4, IGBT Modules IGBT Module 200A 1700V](https://static.chipdip.ru/lib/487/DOC044487763.jpg)
Изображения служат только для ознакомления,
см. техническую документацию
см. техническую документацию
![](https://static.chipdip.ru/lib/437/DOC038437248.jpg)
35 240 руб.
от 10 шт. —
27 410 руб.
от 20 шт. —
26 950 руб.
Добавить в корзину 1 шт.
на сумму 35 240 руб.
Плати частями
от 8 810 руб. × 4 платежа
от 8 810 руб. × 4 платежа
Описание
Semiconductors\Discrete Semiconductors\Transistors\IGBT Modules
Описание Модуль: IGBT, транзистор/транзистор, полумост IGBT, Urmax: 1,7кВ Характеристики Категория | Транзистор |
Тип | БТИЗ |
Вид | IGBT |
Технические параметры
Case | AG-62MM-1 |
Collector current | 200A |
Electrical mounting | screw |
Gate-emitter voltage | ±20V |
Manufacturer | INFINEON TECHNOLOGIES |
Max. off-state voltage | 1.7kV |
Mechanical mounting | screw |
Power dissipation | 1.25kW |
Pulsed collector current | 400A |
Semiconductor structure | transistor/transistor |
Topology | IGBT half-bridge |
Type of module | IGBT |
Вес, г | 340 |
Техническая документация
Datasheet
pdf, 583 КБ
Дополнительная информация
Калькуляторы группы «Транзисторы биполярные с изолированным затвором (IGBTs)»
Типы корпусов импортных транзисторов и тиристоров
Типы корпусов отечественных транзисторов